Si/Ge HBT RF transistor. Vce max. — 4¸5 V¸ Ft — 47 GHz¸ NF — 0¸9 dB @ 900 MHz¸ 1¸1 dB @ 1800 MHz¸ IIP3 — 10 dBm.
Производитель IBM
Ед. изм. количества шт
Норма упаковки 3000 шт
Минимальное кол-во к продаже 1 шт
15.00₽
199 в наличии
| Мин. | Макс. | Цена за ед. изм. |
|---|---|---|
| 10 | 99 | 13.50₽ |
| 100 | 999 | 12.50₽ |
| 1000 | И многое другое. | 12.00₽ |
Si/Ge HBT RF transistor. Vce max. — 4¸5 V¸ Ft — 47 GHz¸ NF — 0¸9 dB @ 900 MHz¸ 1¸1 dB @ 1800 MHz¸ IIP3 — 10 dBm.
Производитель IBM
Ед. изм. количества шт
Норма упаковки 3000 шт
Минимальное кол-во к продаже 1 шт